ニュースリリース

IEEEの国際学会「IMFEDK2019」で招待講演を実施

2019年11月15日に龍谷大学アバンティ響都ホール（京都市南区）で開催されたIEEE（公益法人Institute of Electrical and Electronics Engineers：米国電気電子学会）主催の国際学会「IMFEDK2019」において、研究開発本部の松尾大輔が奈良先端科学技術大学院大学 浦岡グループとの共同研究成果について、招待講演を行いました。

IMFEDK（International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai）は、半導体を中心とした電子デバイスの材料、評価、モデリング、プロセスなどの幅広い分野をカバーする国際学会で、毎年関西で開催されています。今回、過去の国際会議における発表内容が高く評価され、招待講演の実現に至りました。発表では、従来のスパッタ装置では困難な良質の酸化物半導体膜を成膜し、信頼性の高い薄膜トランジスタを低温で作製できることを報告しました。

当社は今後もこのような機会を通して、技術を広めることで業界に貢献するとともに、若手研究者の育成や活躍を推進していきます。

【IMFEDK2019の概要】

参考資料

・IEEE（Institute of Electrical and Electronics Engineers）：米国電気電子学会

IEEE は 「アイ・トリプル・イー」と読み、アメリカに本部を置く、人類社会に有益な技術革新の前進に貢献する世界最大の専門家組織。

・IMFEDK（International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai）

シリコンデバイスや化合物半導体デバイス、先端電子材料、モデリング、評価、プロセスなどの電子デバイス全分野を包括する国際会議。

・奈良先端科学技術大学院大学

奈良県生駒市にある大学院だけの国立大学で、関西文化学研都市の中核的な機関として、情報科学・バイオサイエンス・物質科学の各先端科学技術分野について研究・教育を行っている。

【用語説明】

・ICPスパッタ装置

高周波で形成される磁界の変化によって発生する電界を利用して高密度プラズマをつくり、原料の板材にプラズマ中のイオンを衝突させることで材料を弾き飛ばして、対向する基材上にターゲット材料の薄膜を形成する装置。

・酸化物半導体膜

金属酸化物からなる半導体。代表的な材料であるインジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)の酸化物であるアモルファスInGaZnO(a-IGZO）は、アモルファスシリコン（a-Si）半導体と比較して、電界効果移動度が1桁以上高く、OFF電流が小さいという優れた特徴を持っている。a-IGZOを薄膜トランジスタ材料に用いることで、低消費電力の高精細度・高解像度ディスプレイを製造することが可能である。

・薄膜トランジスタ

半導体薄膜を使って作製したトランジスタ（電流を制御する部品）で、ガラスやフィルムなどの絶縁膜基板上に製作し、液晶や有機ELの表示に使用される。