ニュースリリース

「半導体・オブ・ザ・イヤー2021」半導体製造装置部門でグランプリを受賞 ～パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT_®-Ⅱ」～

日新電機株式会社（本社：京都市右京区、社長：松下芳弘）のグループ会社である日新イオン機器株式会社（本社：京都市南区、社長：長井宣夫）が開発したパワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」が、このたび、電子デバイス産業新聞主催の「第27回　半導体・オブ・ザ・イヤー2021」の半導体製造装置部門において、グランプリを受賞しました。

本賞は半導体業界の優れた技術や製品を表彰するもので、本年で27回目を迎えます。今回は2020年4月～2021年3月の間に発表された製品・技術および紙面にて紹介された新製品の中から、開発の斬新性、量産体制の構築、社会に与えたインパクト、将来性などを基準に記者の投票により選定されます。

受賞製品のパワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」は、省エネ・省電力化・環境性の社会的ニーズが高まる中、電車・電気自動車や情報通信機器などの用途への利用拡大が見込まれるSiC（炭化シリコン）パワー半導体市場の拡大を見越し、これまで数年にわたり開発を重ね、同社製従来装置より一時間当たりのウェーハ処理枚数を約3倍に向上させた新製品で、全世界の顧客を対象に販売。2020年から納入を開始しています。

当社グループは、100年を超える歴史の中で培われた「事業の精神」に基づき、SDGs（持続可能な開発目標）にも通じる企業理念の実現を目指しております。2021年4月にスタートした新中長期計画「VISION2025」では、SDGsを中核に据えた成長戦略とそれを支える事業基盤強化に取り組んでおり、その一環として本受賞製品をはじめイオンビーム・プラズマ技術を利用したイノベーティブな装置、技術、サービスのトータルサプライヤーとして、持続可能な地球環境とあらゆる人々が活躍する社会の実現に貢献してまいります。

パワー半導体製造用高温イオン注入装置「IMPHEAT-Ⅱ」

＜参考＞

【用語解説】

・SiC（シリコンカーバイド、炭化ケイ素、炭化シリコン）

シリコン（Si）と炭素（C）で構成される化合物半導体材料。ダイヤモンドとシリコンの中間的な性質を持ち、硬度（地球上でダイヤモンド、炭化ホウ素に次ぐ硬さ）、耐熱性（熱伝導率は高いが熱膨張率は低く、熱衝撃に強い。また大気圧下では溶融せず、分解温度は約2545度で熱安定性に優れる）、化学的安定性（酸・アルカリ双方に侵食されにくい耐食性）に優れている。

・SiCパワー半導体

SiC基板を使った半導体で、電源（パワーユニット）のコントロールを行うもの。交流を直流、直流を交流に変える「電力変換」、交流の「周波数変換」、電圧や電流の「調節」、電源のオン・オフを切り替える「スイッチング」を行う。Siに比べて高耐圧、小型、低損失、高速・高温動作が可能で次世代パワー半導体として期待されている。

【日新イオン機器株式会社の概要】

【関連リンク】

日新イオン機器株式会社： http://www.nissin-ion.co.jp/